С повишаване на tо броят на токоносителите получени чрез дисоциация също нараства.Подвижността нараства с повишаване на tо , но в мн. по-слаба степен в сравнение с нарастването на токоносителите. С > на температурата се повишава и ел.проводимостта на диелектр., той става по-лош и се загрява.

зависимост от облъчването-концентацийте на електрони и дупки получени от нетоплинно въздействие се наричат неравновесни концентраций.При облъчване със светлина на ППМ –проводимоста му се увеличава значително спрямо тази ако е на тъмно.

Количеството на примесните атоми е много малко ,те се разполагат във възлите на кристалната решетка на основния материал и то сравнителна на голямо разстояние един спрямо друг при което атомите на взаимодействат помежду  си и не обменят електрони.

В зависимост от проводимостта може да стане късо съединение м/у електродите и диелектрика да се превърне в проводник. 

   

Добра устойчивост на атмосферни влияния-покрива се с оксид който я предпазва от проникване на окислителния процес в дълбочина.В зависимост от технологията на производство различаваме мека мед и твърда мед. 

GaAs-галиев арсенид- по перспективен може да измести Si ,има широка забранена зона -1,42eV,може да има донорна и акцепторна проводимост